kepada mereka yang bercadang untuk upgrade RAM anda, ada seberapa perkara yang anda perlu ambil kira untuk kebaikan anda juga, kali ini, saya akan menerangkan sedikit berkenaan latency didalam RAM, apa yang anda patut tahu berkenaan latency ini. baiklah, terus kepada tajuk, latency adalah nama satu process yang berlaku didalam RAM didalam menguruskan data-data yang diminta oleh CPU, seperti mana yang anda semua tahu, RAM adalah key kepada performance computer anda, Biarpun anda memiliki processor yang laju, akan tetapi, tanpa size RAM yang mencukupi, performance didalam komputer anda menjadi tidak sempurna.
Latency kebiasaannya terdiri daripada 4 number yang membawa maksud tertentu, latency bagi RAM DDR1 dengan DDR2 dengan DDR3 adalah berbeza. DDR3 kebiasaanya mempunyai nilai latency yang lebih tinggi daripada latency DDR2. sebagai contoh, Kingston hyper-x KHX1600C9D3K2/4GX mempunyai latency timming 9-9-9-27. apakah maksud yang tersembunyi disebalik number tersebut.
empat nombor ini 9-9-9-27 membawa maksud kepada CAS – tRCD – tRP – tRAS yang dimana setiap suffix ini membawa maksud kepada process tertentu.
empat nombor ini 9-9-9-27 membawa maksud kepada CAS – tRCD – tRP – tRAS yang dimana setiap suffix ini membawa maksud kepada process tertentu.
CAS
-membawa maksud Column Access Strobe(kadang kala dipanggil Column Access Select), membawa maksud kepada satu process/perkara terakhir yang dilakukan oleh RAM untuk mengetahui kedudukan data yang diminta CPU, data biasanya disusun dalam susunan column dan row, row dipilih terlebih dahulu sebelum column didalam row yang dipilih tadi dipilih oleh RAM untuk process baca ataupun tulis kedalam RAM. biasanya dikira dalam masa satu pusing data(cycle).CAS memberikan impak yang besar terhadap performance RAM anda. lagi kecil value ini, maka lagi laju respond RAM tersebut.
tRCD
- RAS (Row Access Strobe) to CAS delay. yang membawa maksud kepada satu process dimana RAM akan memilih row terlebih dahulu sebelum memilih column. kebiasaannya tRCD tidak membawa impact yang besar kepada performance RAM kerana kebiasaanya susunan bit-bit program disusun didalam satu row data. jadi row tidak selalu perlu dipilih kerana data berkemungkinan berada didalam row yang sama. sama seperti CAS, lagi rendah value, lagi laju performance anda. cuma tidak sebegitu ketara,
tRP
- RAS precharge. kebiasaanya merujuk kepada satu timming dimana RAM akan berhenti mengakses row tertentun dan pergi ke row berikutnya. ianya merupakan satu tempoh break yang dimana tRP memberi ruang kepada RAM untuk accessing data didalam certain row. tRP memberikan impak yang besar terhadap performance RAM anda kerana ianya merupakan satu masa break time untuk RAM pergi mengakses ke row yang lain. lagi rendah value tRP, maka lagi better performance RAM anda.
tRAS
- Active to Precharge Delay. ini adalah satu penangguhan(delay), dalam satu pusingan(cycle), diantara pin RAM menerima signal dan RAM melakukan process row access strobe untuk mencari dan mendapatkan data ataupun menulis kembali data. kebiasanya process ini mengalami penangguhan yang sangat besar tetapi dalam masa yang sama, tidak memberikan impak yang besar kedalam performance RAM.
kronologi process yang berlaku didalam RAM sewaktu process membaca/menulis adalah seperti berikut.
tRAS -> tRP -> tRCD -> CAS. seperti yang saya beritakan tadi, CAS memberi impak yang sangat besar dalam performance RAM anda kerana new column sentiasa dipilih dalam setiap instruction.
berikut saya sertakan snapshot kesan dan impak Latency RAM terhadap overall performance.
-membawa maksud Column Access Strobe(kadang kala dipanggil Column Access Select), membawa maksud kepada satu process/perkara terakhir yang dilakukan oleh RAM untuk mengetahui kedudukan data yang diminta CPU, data biasanya disusun dalam susunan column dan row, row dipilih terlebih dahulu sebelum column didalam row yang dipilih tadi dipilih oleh RAM untuk process baca ataupun tulis kedalam RAM. biasanya dikira dalam masa satu pusing data(cycle).CAS memberikan impak yang besar terhadap performance RAM anda. lagi kecil value ini, maka lagi laju respond RAM tersebut.
tRCD
- RAS (Row Access Strobe) to CAS delay. yang membawa maksud kepada satu process dimana RAM akan memilih row terlebih dahulu sebelum memilih column. kebiasaannya tRCD tidak membawa impact yang besar kepada performance RAM kerana kebiasaanya susunan bit-bit program disusun didalam satu row data. jadi row tidak selalu perlu dipilih kerana data berkemungkinan berada didalam row yang sama. sama seperti CAS, lagi rendah value, lagi laju performance anda. cuma tidak sebegitu ketara,
tRP
- RAS precharge. kebiasaanya merujuk kepada satu timming dimana RAM akan berhenti mengakses row tertentun dan pergi ke row berikutnya. ianya merupakan satu tempoh break yang dimana tRP memberi ruang kepada RAM untuk accessing data didalam certain row. tRP memberikan impak yang besar terhadap performance RAM anda kerana ianya merupakan satu masa break time untuk RAM pergi mengakses ke row yang lain. lagi rendah value tRP, maka lagi better performance RAM anda.
tRAS
- Active to Precharge Delay. ini adalah satu penangguhan(delay), dalam satu pusingan(cycle), diantara pin RAM menerima signal dan RAM melakukan process row access strobe untuk mencari dan mendapatkan data ataupun menulis kembali data. kebiasanya process ini mengalami penangguhan yang sangat besar tetapi dalam masa yang sama, tidak memberikan impak yang besar kedalam performance RAM.
kronologi process yang berlaku didalam RAM sewaktu process membaca/menulis adalah seperti berikut.
tRAS -> tRP -> tRCD -> CAS. seperti yang saya beritakan tadi, CAS memberi impak yang sangat besar dalam performance RAM anda kerana new column sentiasa dipilih dalam setiap instruction.
berikut saya sertakan snapshot kesan dan impak Latency RAM terhadap overall performance.
RSS Feed